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35N06中文資料翊歐數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

35N06
廠商型號

35N06

功能描述

60V N-Channel Power Mosfet

絲印標識

35N06

封裝外殼

TO-252

文件大小

733.36 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導體官網

原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-6-11 22:30:00

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35N06規(guī)格書詳情

General Description

These N-channel enhancement mode power mosfets used

advanced trench technology design, provided excellent Rdson

and low gate charge. Which accords with the RoHS standard.

Features

VDS = 60V,ID =35A

RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V

RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V

Fast Switching

Low ON Resistance(Rdson≤29mΩ)

Low Gate Charge

Low Reverse transfer capacitances

100 Single Pulse avalanche energy Test

Application

Power switch circuit of adaptor and charger;

LED backlight driver;

Synchronousrectification

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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