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30N06VG-TM3-T

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC30N06V-QisalowvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,

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更多30N06VG-TM3-T供應商 更新時間2025-1-23 14:02:00

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