30E2中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
30E2 |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 文件大小 |
158.83 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-27 20:00:00 |
| 人工找貨 | 30E2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
30E2規(guī)格書詳情
1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching tf = 150 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
30E2
- 制造商：
Veeder-Root Company
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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