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2ST501T

HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The2ST501TisaHighVoltageNPNsilicontransistorinmonolithicspecialDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage. ■HIGHVOLTAGESPECIALDARLINGTONSTRUCTURE ■VERYRUGGEDBIPOLARTECHNOLOGY ■HIGHOPERATIONJUNCTIONTEMPERATURE ■HIGHDCCURRENTGAIN A

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2ST501T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage ?HighDCCurrentGain ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Audiopoweramplifiers ?Relay&solenoiddrivers ?Motorcontrols ?Generalpurposepoweramplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2ST501T

Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN DARL 350V 4A TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2ST501T

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 2mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 2A,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 350V 4A TO220

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2ST501T供應(yīng)商 更新時間2025-1-30 8:12:00