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2SK3572中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3572
廠商型號

2SK3572

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

245.98 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-4-11 13:33:00

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2SK3572規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3572 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES

? 4.5 V drive available

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 5.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

? Low gate charge

QG = 32 nC TYP. (VDD = 16 V, VGS = 10 V, ID = 80 A)

? Built-in gate protection diode

? Surface mount device available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SK3572

  • 制造商:

    NEC Electronics Corporation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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