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2SK3567中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3567
廠商型號

2SK3567
功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
文件大小

94.43 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 23:00:00
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2SK3567規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications.

2SK3567 -> Marking K3567.

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.7 ?(typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 600 V)

? Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    2SK3567

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 3.5A Rdson 2.2 Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
24+
NA/
128920
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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TOSHIBA/東芝
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TOS
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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