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2SK3435-ZJ | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?TrenchFET?PowerMOSFET ?Materialcategorization: | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=14mMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mMAX.(VGS=4V,ID=40A) ●LowCiss:Ciss=3200pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. OfficialSite:http://www.renesas.eu/products/discrete/pmosfet/gen_sw/device/2SK3435-Z.jsp | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. OfficialSite:http://www.renesas.eu/products/discrete/pmosfet/gen_sw/device/2SK3435-Z.jsp | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3435isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=40A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
2SK3435-ZJ
- 功能描述:
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
TO-263 |
8866 |
詢價(jià) | |||
NEC |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
TO-263 |
50000 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
5177 |
深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
58000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
onsemi(安森美) |
23+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | |||
TOSHIBA |
24+ |
TO-220FL/SM |
4326 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存! |
詢價(jià) |
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