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2SK3017

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK3017

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

DC?DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=1.05?(typ.) Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.0S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=720V) Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK3017

Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

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DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

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2SK3017

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3017_06

Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

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2SK3017_09

DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SK3017

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOS
2024
TO-3PF
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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
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更多2SK3017供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 16:40:00