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2SK2851TZ-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.055?typ.(atVGS=10V,ID=2.5A) ?4Vgatedrivedevices. ?Largecurrentcapacitance ID=5A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK2851

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK2851

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
瑞薩
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更多2SK2851TZ-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 15:10:00