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2SK2597

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FOR BASE STATION OF 900 MHz BAND CELLULAR PHONE POWER AMPLIFICATION

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK2597

SILICON POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET FORBASESTATIONOF900MHzBANDCELLULARPHONE POWERAMPLIFICATION FEATURES ?Highoutput,highgain PO=100W,GL=13dB(TYP.)(f=900MHz) PO=90W,GL=12dB(TYP.)(f=960MHz) ?Lowintermodulationdistortion ?Coversallbasestationfrequenci

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SK2597

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FOR BASE STATION OF 900 MHz BAND CELLULAR PHONE POWER AMPLIFICATION

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SK2597供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 10:30:00

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