2SK2221-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2SK2221-E |
參數(shù)屬性 | 2SK2221-E 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO3P |
功能描述 | Silicon N Channel MOS FET |
文件大小 |
72.02 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-20 17:09:00 |
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Features
? High power gain
? Excellent frequency response
? High speed switching
? Wide area of safe operation
? Enhancement-mode
? Good complementary characteristics
? Equipped with gate protection diodes
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352
2SK2221-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的2SK2221-E晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
2SK2221-E
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- FET 類型:
N 通道
- 技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
8A(Ta)
- Vgs(最大值):
±20V
- 功率耗散(最大值):
100W(Tc)
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 描述:
MOSFET N-CH 200V 8A TO3P
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價(jià) | ||
TOS |
24+ |
TO-3P |
20000 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
19+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3PF |
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TOS |
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FUJI/富士電機(jī) |
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Renesas(瑞薩) |
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Renesas(瑞薩) |
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