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2SK2221-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SK2221-E
廠商型號(hào)

2SK2221-E

參數(shù)屬性

2SK2221-E 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

功能描述

Silicon N Channel MOS FET
MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

文件大小

72.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-20 17:09:00

2SK2221-E規(guī)格書詳情

Features

? High power gain

? Excellent frequency response

? High speed switching

? Wide area of safe operation

? Enhancement-mode

? Good complementary characteristics

? Equipped with gate protection diodes

Application

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352

2SK2221-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的2SK2221-E晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SK2221-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    8A(Ta)

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    100W(Tc)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS
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RENESAS/瑞薩
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