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2SK1968

Silicon N-Channel MOS FET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown ?SuitableforSwitchingregulator ?Lowdrivecurrent Application Highspeedpowerswitching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK1968

Silicon N Channel MOS FET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown ?Suitableforswitchingregulator ?Lowdrivecurrent Application Highspeedpowerswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK1968

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?FastSwitchingSpeed ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Suitableforswitchingregulator

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK1968-E

Silicon N Channel MOS FET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown ?Suitableforswitchingregulator ?Lowdrivecurrent Application Highspeedpowerswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多2SK1968供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 8:09:00

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