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2SK1807

Silicon N-Channel MOS FET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?Nosecondarybreakdown ?Suitableforswitchingregulator,DC-DCconverter Application Highspeedpowerswitching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK1807

Silicon N Channel MOS FET

*Lowon-resistance *Highspeedswitching *Lowdrivecurrent *Nosecondarybreakdown *Suitableforswitchingregulator,DC-DCconverter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK1807

Fast Switching Speed

DESCRIPTION ·DrainCurrentID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage:VDSS=900V(Min) ·FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ·HighBreakdownVoltage

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK1807-E

Silicon N Channel MOS FET

*Lowon-resistance *Highspeedswitching *Lowdrivecurrent *Nosecondarybreakdown *Suitableforswitchingregulator,DC-DCconverter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SK1807

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述：

    900V NCHANEL MOSFET

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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2000
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更多2SK1807供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 16:00:00

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