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2SK1666

Silicon N-Channel MOS FET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?Lowvoltagedrivedevice -Canbedrivenfrom4V ?Suitableformotordrive,solenoiddrive,DC-DCconverterandetc. Application Highspeedpowerswitching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK1666

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK1666

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多2SK1666供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-22 16:30:00

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