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2SJ648	文件：135.83 Kbytes Page：6 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ648isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. The2SJ648featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES ?2.5Vdrive	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SJ648	文件：268.92 Kbytes Page：8 Pages	Marking：H1；Package：SC-75；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORSWITCHING DESCRIPTION The2SJ648isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya 2.5Vpowersource. The2SJ648featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchas powerswit	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ648_15	文件：269.54 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ648-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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深圳市博浩通科技有限公司	2SJ648	NEC	23+	TO-252	11997	全新原裝	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	2SJ648	Renesas	19+	USMSC-75	200000		詢價(jià)
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