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2SD860

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=250V(Min) ?HighCollectorPowerDissipation APPLICATIONS ?DesignedforAFpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD860B

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    450V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    BU406,BU408,BUW40,BUW40A,BUW40B,BUX85,DS33,TIP49,TIP50,2SD860B,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    450

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    40

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MAT
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
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只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多2SD860B供應商 更新時間2025-1-13 14:01:00

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