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2SD458

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=400V(Min) ?HighPowerDissipation-:PC=80W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD458

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    600V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BU326,BU326A,BU426,BU426A,BU526,BU626A,BUW11,BUW11A,3DK306G,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    600

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    80

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SD458

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 600V 5A 80W BEC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD458供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 16:00:00

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