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2SD2353

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

1.HighDCCurrentGain:hFE=800~3200 2.LowCollectorSaturationVoltage:Vce(sat)=0.4V(Typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2353

Silicon NPN Triple Diffused Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SD2353

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SD2353_06

Silicon NPN Triple Diffused Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SD2353

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    HI_BETA

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    18MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2SC3852,2SD1972,2SD1944,2SD2127,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍數(shù):

    β>800

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    18000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2SD2353

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多2SD2353供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-24 17:04:00