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2SD2114K	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114K	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features HighDCcurrentgain. Highemitter-basevoltage. LowVCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD2114K	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114K	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114K	文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114K	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KS	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KT146V	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KT146W	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KU	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KV	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KW	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114K_1	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114K_12	文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KT146V	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 20V 0.5A SMT3	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SD2114KT146W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 20V 0.5A SMT3	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM

晶體管資料

型號：
2SD2114K
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
0.5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
β>560
圖片代號：
H-15
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

詳細參數(shù)

型號：
2SD2114K
制造商：
ROHM
制造商全稱：
Rohm
功能描述：
High-current Gain MediumPower Transistor(20V, 0.5A)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2SD2114K供應商更新時間2024-10-23 10:00:00

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