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2SD1899-K

NPNSiliconEpitaxialTransistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Capableof1.0WattsofPowerDissipation. ?Collector-current3.0A ?Collector-baseVoltage60V ?Operatingandstoragejuncti

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1899L

SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrentandhighfT,excellentlinearityofhFE,fastswitchingtime. Applications Relaydrivers,high-speedinverters,generalhigh-currentswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SD1899-L

NPNSiliconEpitaxialTransistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Capableof1.0WattsofPowerDissipation. ?Collector-current3.0A ?Collector-baseVoltage60V ?Operatingandstoragejuncti

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1899-M

NPNSiliconEpitaxialTransistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Capableof1.0WattsofPowerDissipation. ?Collector-current3.0A ?Collector-baseVoltage60V ?Operatingandstoragejuncti

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1899-Z

TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighhFE ●LowVCE(sat)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD1899-Z

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Lowcollectorsaturationvoltage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Hightransitionfrequencyapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1899-Z

SILICONPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD1899-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ?HighhFE:hFE=100to400 ?LowVCE(sat):VCE(sat)≤0.25V

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1899-Z

NPNSiliconEpitaxialTransistor

Features ●LowVCE(sat). ●HighhFE.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SD1899-Z

Plastic-EncapsulatedTransistors

FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SD1899-Z

TO-252Plastic-EncapsulatedTransistors

FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1899(Z)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SC3386,2SD1221,2SD1252,2SD1760,2DS1802,2DS1815,2SD1816,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-80

  • vtest：

    60

  • htest：

    120000000

  • atest：

    3

  • wtest：

    10

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TO-252
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價(jià)
長晶科技
21+
TO-252-2L
21
全新原裝鄙視假貨15118075546
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
3000
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
NEC
2023+
TO-251
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價(jià)
NEC
23+
TO251
39630
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳
 詢價(jià)
NEC
22+
SOT-89
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!
 詢價(jià)
NEC
23+
SOT-89
50000
原裝正品 支持實(shí)單
 詢價(jià)
N/A
24+
TO-251
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
N/A
23+
TO-251
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
TO-251
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多2SD1899(Z)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 17:42:00

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