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2SD1700	文件：126.41 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1700isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotordriver,printerdriver,solenoiddriver. FEATURES ●HighDCCurrentGain ●ZenerDiodebetweenCollectorandBaseforAbsorbingSurgeVoltageisBuilt-in. ●ReverseDiodebetweenCollectorandEmit	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SD1701	文件：117.28 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1701isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotordriver,printerdriver,solenoiddriver. FEATURES ●HighDCCurrentgain. ●ZenerDiodebetweenCollectorandBaseforAbsorbing SurgeVoltageisbuilt-in. ●ReverseDiodebetweenCollectorand	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SD1702	文件：197.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The2SD1702isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotor,printerdriver,solenoiddriver.	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SD1702	文件：321.86 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The2SD1702isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotor,printerdriver,solenoiddriver.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD1705	文件：92.88 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Forpowerswitching Complementaryto2SB1154 ■Features ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ?SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE ?LargecollectorcurrentIC ?Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
2SD1705	文件：255.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=6A ?ComplementtoType2SB1154 APPLICATIONS ?Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1706	文件：255.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=7A ·ComplementtoType2SB1155 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1706	文件：174.44 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
2SD1707	文件：93.37 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type ForpowerswitchingComplementaryto2SB1156 ■Features ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ?SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE ?LargecollectorcurrentIC ?Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
2SD1707	文件：254.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=8A ·ComplementtoType2SB1156 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1709	文件：239.58 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?HighBreakdownVoltage-:VCBO=1500V(Min) ?HighSwitchingSpeed ?Built-inDamperDiode APPLICATIONS ?ColorTVhorizontaldeflectionoutput ?Colordisplayhorizontaldeflectionoutput	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1710	文件：59.28 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERALDESCRIPTION Highvoltage,high-speedswitchingnpntransistorsinaplasticpackage,pimarilyforuseinhorizontaldeflectioncircuitesofcolourtelevisionreceivers	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
2SD1710	文件：146.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PMLpackage ?Highvoltage;highspeed ?Highreliability. APPLICATIONS ?Ultrahigh-definitionCRTdisplay ?Horizontaldeflectionoutputapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1710	文件：88.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PMLpackage ?Highvoltage;highspeed ?Highreliability. APPLICATIONS ?Ultrahigh-definitionCRTdisplay ?Horizontaldeflectionoutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1710C	文件：59.22 Kbytes Page：4 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 500V / 7A Switching Regulator Applications 500V/7ASwitchingRegulatorApplications Features ?Highbreakdownvoltage,highreliability. ?Fastswitchingspeed. ?WideASO. ?AdoptionofMBITprocess. ?Micalesspackagefacilitatingmounting.	SANYOSanyo 三洋三洋電機株式會社	SANYO
2SD1711	文件：28.28 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS) COLORTVHORIZONTALOUTPUTAPPLICATIONS(DamperDiodeBUILTIN) ●HighCollector-BaseVoltage(VCBO=1500V) ●HighSpeedSwitching	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
2SD1712	文件：89.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PFapackage ?Complementtotype2SB1157 ?HightransitionfrequencyfT ?SatisfactorylinearityofhFE ?Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ?Forhighpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1712	文件：121.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PFapackage ?Complementtotype2SB1157 ?HightransitionfrequencyfT ?SatisfactorylinearityofhFE ?Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ?Forhighpoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1713	文件：250.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?WideAreaofSafeOperation ?ComplementtoType2SB1158 APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SD1714	文件：250.48 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=140V(Min.) ?GoodLinearityofhFE ?WideAreaofSafeOperation ?ComplementtoType2SB1159 APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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晶體管資料

型號：
2SD1701
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
INT.Z_DIODE(B->C)
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.8A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SD2068,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍數(shù)：
β>4000
圖片代號：
A-68
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.75

詳細參數(shù)

型號：
2SD17
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY NEC TRANSISTOR TO-9260V .8A .75W ECB

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更多2SD17供應商更新時間2024-10-23 10:26:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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