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2SD1691-O

NPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?LargeCollectorCurrent ?HighPowerDissipation ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Hal

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1691-O-BP

Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 60V 5A TO126

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1691

Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.

DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

2SD1691

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD1691

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB1151 ·Lowsaturationvoltage ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1691

SILICONPOWERTRANSISTOR

FEATURES ?LargecurrentcapacityandlowVCE(sat): IC(DC)=5.0A,IC(pulse)=8.0A VCE(sat)=0.1VTYP.(@IC=2.0A,IB=0.2A) ?LargepowerdissipationTO-126typepowertransistor PT=1.3W(@Ta=25°C),20W(@Tc=25°C) ?Complementarytransistor:2SB1151

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1691

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB1151 ·Lowsaturationvoltage ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD1691

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT ■FEATURES *HighPowerDissipation *Complementaryto2SB1151

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD1691

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD1691isalowVCE(sat)transistorwhichhasalargecurrentcapabilityandwideSOA. ItissuitableforDC-DCconverter,ordriverofsolenoidormotor. FEATURES ●LowCollectorSaturationVoltage. VCE(sat)=0.1VTYP.(@IC/IB=2.0A/0.2A) ●LargeCurrent. IC(DC)

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1691

ComplementarySiliconPowerTtransistors

DESCRIPTION Itisintentedforuseinpower amplifierandswitchingapplications.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

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更多2SD1691-O供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 21:21:00

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