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2SC6026CT-GR,L3F

Package：SC-101，SOT-883；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 50V 0.1A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage

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2SC6026

SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)General-PurposeAmplifierApplications

General-PurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent :VCEO=50V,IC=100mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=120~400 ?Complementaryto2SA2154 ?Lead(Pb)free

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2SC6026CT

GeneralPurposeAmplifierApplications

GeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=100mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=120to400 ?Complementaryto2SA2154CT

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2SC6026MFV

General-PurposeAmplifierApplications

General-PurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=120to400 ?Complementaryto2SA2154MFV

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2SC6026MFV

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)

General-PurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=120to400 ?Complementaryto2SA2154MFV

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2SC6026MFV

General-PurposeAmplifierApplications

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2SC6026MFV-GR

General-PurposeAmplifierApplications

General-PurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=120to400 ?Complementaryto2SA2154MFV

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2SC6026MFV-Y

General-PurposeAmplifierApplications

General-PurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=120to400 ?Complementaryto2SA2154MFV

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產品屬性

  • 產品編號：

    2SC6026CT-GR,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 2mA，6V

  • 頻率 - 躍遷：

    60MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-101，SOT-883

  • 供應商器件封裝：

    CST3

  • 描述：

    TRANS NPN 50V 0.1A CST3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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