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2SC5750-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC5750-T1
廠商型號

2SC5750-T1
參數(shù)屬性

2SC5750-T1 封裝/外殼為SC-82A，SOT-343；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343
功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION
封裝外殼

SC-82A，SOT-343
文件大小

216.3 Kbytes
頁面數(shù)量

18 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-10 16:02:00
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2SC5750-T1規(guī)格書詳情

FEATURES

? Ideal for medium output power amplification

? PO (1 dB) = 15.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 1 dBm

? HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted

? High reliability through use of gold electrodes

? 4-pin super minimold package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5750-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    15GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.7dB @ 2GHz

  • 增益：

    15dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    75 @ 20mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-82A，SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-343

  • 描述：

    RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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