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2SC5006-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC5006-T1
廠商型號(hào)

2SC5006-T1

參數(shù)屬性

2SC5006-T1 封裝/外殼為SOT-523;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

封裝外殼

SOT-523

文件大小

62.03 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 20:00:00

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2SC5006-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SC5006 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface, process (NEST2 process) which is an NEC proprietary fabrication technique.

FEATURES

? Low Voltage Use.

? High fT : 4.5 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)

? Low Cre : 0.7 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)

? Low NF : 1.2 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)

? High |S21e|2: 9 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)

? Ultra Super Mini Mold Package.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SC5006-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 7mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
23+
NA/
5722
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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NEC
07+
SOT523
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