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2SC3233-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=400V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=20(Min)@IC=0.1A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC3233-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=400V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=20(Min)@IC=0.1A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC3235

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220package ?Highvoltage,highspeed ?Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ?Forhighvoltage,highspeedandhighpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC3235

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220package ?Highvoltage,highspeed ?Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ?Forhighvoltage,highspeedandhighpowerswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SC3236

SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.

FEATURES: -ExcellentSwitchingTimes :tr-1.0μs(Max.),tf-1.0μs(Max.)atIc=4A -HighCollectorBreakdownVoltage:VCEO-400V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3239

HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS.

FEATURES: -LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)0.4V(Max.)(atIc-3A) -HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0μs(Typ.) -Complementaryto25A1279

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3240

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

DESCRIPTION 2SC3240isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersinHFband. APPLICATION OutputstageoftransmitterinHFbandSSBmobileradiosets

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

2SC3241

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

DESCRIPTION 2SC3241isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersinHFband. APPLICATION OutputstageoftransmitterinHFbandSSBmobileradiosets

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

2SC3243

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION

DESCRIPTION 2SC3243isasiliconNPNepitaxialtypetransistordesignedforrelaydriveorpowersupplyapplication. Complementarywith2SA1238. APPLICATION Relaydrive,powersupplyforaudioequipment,VCR.

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

諫早電子諫早電子株式會社

2SC3243

TRANSISTOR (NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.9W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SC3209

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    CTV_視頻輸出 （Vid）_輸出極 （E）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    300V

  • 最大電流允許值：

    0.2A

  • 最大工作頻率：

    50MHZ

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    BF299,BF393,BFR89,2SC1573A,2SC2482,2SC2610,2SC3269,2SC3468,3DA87E,

  • 最大耗散功率：

    1W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    A-70

  • vtest：

    300

  • htest：

    50000000

  • atest：

    0.2

  • wtest：

    1

詳細參數

  • 型號：

    2SC32

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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更多2SC32供應商 更新時間2025-3-28 16:30:00

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