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2SC2703	文件：148.24 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioPowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=100to320	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2703	文件：109.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) AudioPowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=100to320	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2703	文件：6.4643 Mbytes Page：3 Pages	TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCCurrentGain:hFE=100-320	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2703	文件：125.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.9W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SC2703	文件：951.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features HighDCcurrentgain:hFE=100～320. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC2703_06	文件：109.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) AudioPowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=100to320	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2704	文件：189.76 Kbytes Page：3 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: Complementaryto2SA1144. SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=1.8pF(Typ.) HighTransitionFrequency:f=200MHz(Typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2705	文件：142.65 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioFrequencyAmplifierApplications ?Smallcollectoroutputcapacitance:Cob=1.8pF(typ.) ?Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.) ?Complementaryto2SA1145.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2705	文件：900.47 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package Description SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Hightransitionfrequency,smallcollectoroutputcapacitancecomplementarypairwith2SA1145. Applications Audiofrequencyamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC2705	文件：258.829 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Current-GainsustainingVoltage :VCEO=150(min) ·GoodLinearityofhFE ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·AudioFrequencyAmplifierApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SC2706	文件：121.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Highpowerdissipation APPLICATIONS ·Foraudiopoweramplifierandgeneralpurposeapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2706	文件：128.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Highpowerdissipation APPLICATIONS ·Foraudiopoweramplifierandgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SC2707	文件：212.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=180V(Min.) ?HighPowerDissipation ?ComplementtoType2SA1147 APPLICATIONS ?Designedforpowerswitchingamplifierandgeneralpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
2SC2707	文件：129.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=180V(Min.) ?HighPowerDissipation ?ComplementtoType2SA1147 APPLICATIONS ?Designedforpowerswitchingamplifierandgeneralpurposeapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SC2705	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2705_06	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2706	文件：131.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SC2706	文件：123.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC2705-O(TE6,F,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長體類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2705-O(TPE6,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長體類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

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晶體管資料

型號：
2SC2703
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質：
通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
150MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC338,BC636,BC738,2SC2236,2SD863,2SD1207,2SD1331,3DA32A,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-12
vtest：
30
htest：
150000000
atest：
1
wtest：
0.9

詳細參數(shù)

型號：
2SC270
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92MOD 30V 1A .9W ECB

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市弘為電子有限公司	2SC2703	TOS	16+	原廠封裝	5500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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更多2SC270供應商更新時間2024-12-28 13:30:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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