2SB881中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
2SB881 |
功能描述 | Silicon PNP Darlington Power Transistor |
文件大小 |
75.56 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-4 17:27:00 |
人工找貨 | 2SB881價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2SB881三極管、2SB881晶體管、2SB881晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
70V
- 最大電流允許值:
7A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,2SB674,2SB791,2SB872,2SB1103,2SB1341,
- 最大耗散功率:
35W
- 放大倍數(shù):
β=5000
- 圖片代號(hào):
B-21
- vtest:
70
- htest:
999900
- atest:
7
- wtest:
35
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
2SB881
- 制造商:
SANYO
- 制造商全稱:
Sanyo Semicon Device
- 功能描述:
Driver Applications
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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