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2SB679

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·HighPowerDissipation- :PC=100W(Max.)@TC=25℃ ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min.) ·ComplementtoType2SC1079 APPLICATIONS ·Designedforaudiopoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SB679

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD264B,BD702,BD650,BD902,BDW54C,2SB751B,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

    β>2000

  • 圖片代號(hào)：

    B-89

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    10

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SB679

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -100V -1.5A 10W BCE

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更多2SB679供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 11:04:00

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