首頁 >2SB649>規(guī)格書列表

零件編號下載&訂購功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

2SB649

PNP Epitaxial Planar Transistors

PNPEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SB649

BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SD669/A

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB649

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2SD669/669A ?HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ?Highcurrent-1.5A ?Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ?Forlow-frequencypoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SB649

PNP Type Plastic Encapsulate Transistors

FEATURES Powersmplifierapplications Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150 Collector-emittervoltage VC

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB649

Silicon PNP Epitaxial

Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD669/A

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB649

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD669/669A ·HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ·Highcurrent-1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB649

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SB649

TRANSISTOR (PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypair with2SD669/A

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

2SB649

Silicon PNP transistor in a TO-126 Plastic Package.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SD669(A). Applications Lowfrequencypoweramplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SB649

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?HighCollectorCurrent-lc=-i.5A ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoType2SD669 APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2SB649

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPair with2SD669/2SD669A

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB649

isc Silicon PNP Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB649

BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB649

Silicon PNP Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB649

TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SB649A

Silicon PNP Epitaxial

Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD669/A

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB649A

PNP Epitaxial Planar Transistors

PNPEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SB649A

BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SD669/A

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB649A

PNP Type Plastic Encapsulate Transistors

FEATURES Powersmplifierapplications Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150 Collector-emittervoltage VC

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB649A

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2SD669/669A ?HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ?Highcurrent-1.5A ?Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ?Forlow-frequencypoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB649(A)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_視頻輸出 （Vi

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    180V

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    140MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BF463,BF760,CA73-2G,2SA1249,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-21

  • vtest：

    180

  • htest：

    140000000

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SB649

  • 制造商：

    WEITRON

  • 制造商全稱：

    Weitron Technology

  • 功能描述：

    PNP Epitaxial Planar Transistors

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HIT
1415+
TO-252
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣
 詢價
HIT
24+
TO-92
20000
詢價
HIT日立
23+
TO-126
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
ISC
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
長電
22+23+
TO-126
24895
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
長電
2020+
TO-126
5000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
CJ/長電
22+
TO-126
1200
原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅
 詢價
UTC/友順
18+
TO-126
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
日立
1950+
TO-126
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
ISC
20+
TO-126
15800
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
更多2SB649供應商 更新時間2024-11-5 11:03:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多