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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
2SB649	文件：272.58 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistors PNPEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB649	文件：77.47 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SD669/A	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB649	文件：205.19 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2SD669/669A ?HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ?Highcurrent-1.5A ?Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ?Forlow-frequencypoweramplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司	JMNIC
2SB649	文件：258.25 Kbytes Page：2 Pages	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES Powersmplifierapplications Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150 Collector-emittervoltage VC	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB649	文件：35.81 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD669/A	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB649	文件：148.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD669/669A ·HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ·Highcurrent-1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB649	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB649	文件：306.37 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypair with2SD669/A	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SB649	文件：1.00971 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-126 Plastic Package. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SD669(A). Applications Lowfrequencypoweramplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB649	文件：126.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?HighCollectorCurrent-lc=-i.5A ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoType2SD669 APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SB649	文件：1.04176 Mbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPair with2SD669/2SD669A	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB649	文件：274.19 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB649	文件：194.46 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB649	文件：150.12 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB649	文件：63.42 Kbytes Page：1 Pages	TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB649A	文件：35.81 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD669/A	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB649A	文件：272.58 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistors PNPEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB649A	文件：77.47 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SD669/A	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB649A	文件：258.25 Kbytes Page：2 Pages	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES Powersmplifierapplications Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150 Collector-emittervoltage VC	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB649A	文件：205.19 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2SD669/669A ?HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ?Highcurrent-1.5A ?Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ?Forlow-frequencypoweramplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司	JMNIC

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晶體管資料

型號(hào)：
2SB649(A)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開(kāi)關(guān)管（S）_視頻輸出（Vi
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
180V
最大電流允許值：
1.5A
最大工作頻率：
140MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BF463,BF760,CA73-2G,2SA1249,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-21
vtest：
180
htest：
140000000
atest：
1.5
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SB649
制造商：
WEITRON
制造商全稱：
Weitron Technology
功能描述：
PNP Epitaxial Planar Transistors

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	2SB649	HIT	1415+	TO-252	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB649	HIT	24+	TO-92	20000		詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SB649	HIT日立	23+	TO-126	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	2SB649	ISC	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	2SB649	長(zhǎng)電	22+23+	TO-126	24895	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SB649	長(zhǎng)電	2020+	TO-126	5000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	2SB649	CJ/長(zhǎng)電	22+	TO-126	1200	原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13點(diǎn)稅	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	2SB649	UTC/友順	18+	TO-126	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SB649	日立	1950+	TO-126	9852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SB649	ISC	20+	TO-126	15800	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)

更多2SB649供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 11:03:00

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