首頁>2SB601>規(guī)格書詳情

2SB601中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB601
廠商型號

2SB601

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

133.09 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-4 9:00:00

人工找貨

2SB601價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

晶體管資料

  • 型號:

    2SB601

  • 別名:

    2SB601三極管、2SB601晶體管、2SB601晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

    β>2000

  • 圖片代號:

    B-89

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    30

2SB601規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High DC Current Gain-

: hFE = 2000(Min)@ lc=-3A

? Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(sus)=-100V(Min)

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat) = -1.5V(Max)@lc=-3A

APPLICATIONS

? Designed for use in low-frequency power amplifiers and low-speed switching applications.

? Ideal for use in direct drive from 1C output for magnet drivers such as terminal equipment or cash registers.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SB601

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISC
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
ST
24+
TO-220
200000
原裝進口正口,支持樣品
詢價
NEC
24+
8858
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!
詢價
NEC
24+
6540
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
詢價
ST
22+
TO-220
66900
原廠原裝現(xiàn)貨
詢價
NIPPON
24+
65230
詢價
ST
21+
TO-220
23480
詢價
SEC
24+
TO220
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
SEC
23+
TO220
6850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十!
詢價
NEC
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價