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2SB1258分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SB1258
廠商型號

2SB1258
參數(shù)屬性

2SB1258 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F
功能描述

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose)
TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F
文件大小

25.61 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產(chǎn)廠商 Sanken electric
企業(yè)簡稱

Sanken【三墾】

中文名稱

三墾電氣株式會社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-9 10:30:00

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1258

  • 別名：

    2SB1258三極管、2SB1258晶體管、2SB1258晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SA1719,2SA1022,2SB1099,2SB1195,2SB1228,2SB1283,2SB1340,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

    β=1000

  • 圖片代號：

    B-97

  • vtest：

    100

  • htest：

    100000000

  • atest：

    6

  • wtest：

    30

2SB1258規(guī)格書詳情

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD1785)

Application : Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose

2SB1258屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。三墾電氣株式會社制造生產(chǎn)的2SB1258晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    2SB1258

  • 制造商：

    Sanken

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 6mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 3A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F

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