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2SB1202T-TL-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SB1202T-TL-E
廠商型號(hào)

2SB1202T-TL-E

參數(shù)屬性

2SB1202T-TL-E 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 3A TPFA

功能描述

Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA
TRANS PNP 50V 3A TPFA

文件大小

100.82 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-23 23:00:00

2SB1202T-TL-E規(guī)格書詳情

2SB1202T-TL-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SB1202T-TL-E晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Bipolar Transistor

(–)50V, (–)3A, Low VCE(sat) (PNP)NPN Single TP/TP-FA

Features

? Adoption of FBET and MBIT processes

? Large current capacitance and wide ASO

? Low collector to emitter saturation voltage

? Fast switching speed

? Small and slim package making it easy to make 2SB1202/2SD1802-used sets smaller

Applicaitons

? Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SB1202T-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 100mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TP-FA

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 3A TPFA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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