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2SB1201T-TL-E

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1201T-TL-E

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 50V 2A TP-FA

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1201

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1201

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1201

High-CurrentSwitchingApplications

Features ·AdoptionofFBET,MBITprocesses. ·LargecurrentcapacityandwideASO. ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·Fastswitchingspeed. ·Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-usedsetssmaller. Applications ·Voltageregulators,relaydrivers,lam

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SB1201

High-CurrentSwitchingApplications

■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●Fastswitchingspeed. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Complementaryto2SD1801

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1201

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-usedsetsmaller ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceand

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1201

BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA

BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SB1201-R

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1201-S

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SB1201T-TL-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    700mV @ 50mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 100mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TP-FA

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 2A TP-FA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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更多2SB1201T-TL-E供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 23:00:00

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