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2SB1150中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1150
廠商型號

2SB1150

功能描述

PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

文件大小

146.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-24 16:50:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2SB1150

  • 別名:

    2SB1150三極管、2SB1150晶體管、2SB1150晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

    β=10000

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    15

2SB1150規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SB1150 is a darlington transistor built-in a zener diode at B-C and a dumper diode at E-C.

It is suitable for use to operate from IC without predriver, such as hammer driver.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SB1150

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC原裝
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