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2SA844中文資料日立數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SA844
廠商型號(hào)

2SA844

參數(shù)屬性

2SA844 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 55V 0.1A TO92

功能描述

Silicon PNP Epitaxial

文件大小

23.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hitachi Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Hitachi日立

中文名稱

日立公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 11:40:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SA844

  • 別名:

    2SA844三極管、2SA844晶體管、2SA844晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    通用型 (Uni)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    55V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    200MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BC177,BC204,BC212,BC251,BC257,BC307,BC512,BC557,CG844,2N2906,2N2907,3CG121C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    A-39

  • vtest:

    55

  • htest:

    200000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

2SA844規(guī)格書詳情

* Low frequency amplifier

* Collector to base voltage VCBO : –55 V

* Collector to emitter voltage VCEO : –55 V

* Emitter to base voltage VEBO : –5 V

* Collector current IC : –100 mA

* Emitter current IE : 100 mA

* Collector power dissipation PC : 300 mW

* Junction temperature Tj : 150 °C

* Storage temperature Tstg : –55 to +150 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SA844-D-AP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2mA,12V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92

  • 描述:

    TRANS PNP 55V 0.1A TO92

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HITACHI/日立
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