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2SA1987分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA1987
廠商型號

2SA1987

參數(shù)屬性

2SA1987 封裝/外殼為TO-3PL;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 230V 15A TO3P

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-3PL

文件大小

85.74 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-22 21:11:00

2SA1987規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High Current Capability

? High Power Dissipation

? High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -230V(Min)

? Complement to Type 2SC5359

APPLICATIONS

? Power amplifier applications

? Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SA1987-O(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 800mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 1A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(L)

  • 描述:

    TRANS PNP 230V 15A TO3P

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