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2SA1962RTU

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features ?HighCurrentCapability:IC=-17A ?HighPowerDissipation:130watts ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=-250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SC5242/FJA4313. ?ThermalandelectricalSpicemodelsarea

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2SA1962RTU

Marking：A1962R；Package：TO-3P；PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features ?HighCurrentCapability:IC=-17A ?HighPowerDissipation:130watts ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=-250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SC5242/FJA4313. ?ThermalandelectricalSpicemodelsare

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SA1962RTU

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 250V 17A TO3P

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2SA1962

TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=?230V(min) ?Complementaryto2SC5242 ?Recommendedfor80-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifier outputstage.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1962

PowerAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1962

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-3P(I)package ?Complementtotype2SC5242 ?Highcollectorvoltage:VCEO=-230V(Min) APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Recommendfor80Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SA1962

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-3P(I)package ?Complementtotype2SC5242 ?Highcollectorvoltage:VCEO=-230V(Min) APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Recommendfor80Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SA1962

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-230V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?ComplementtoType2SC5242 APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequency amplifieroutputstageapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1962

PNPEpitaxialSiliconTransistor

Features ?HighCurrentCapability:IC=-17A ?HighPowerDissipation:130watts ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=-250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SC5242/FJA4313. ?ThermalandelectricalSpicemodelsarea

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2SA1962

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-230V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?ComplementtoType2SC5242 APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequency amplifieroutputstageapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SA1962RTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 800mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    55 @ 1A，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    TRANS PNP 250V 17A TO3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-3P
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
 詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-3P
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
onsemi
24+
TO-3P-3,SC-65-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
FAIRCHILD
22+23+
TO-3P
36914
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
原廠
2020+
2533
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-3P
31246
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
FAIRCHILD
TO-3P
36520
原裝現(xiàn)貨/放心購買
 詢價
ON/安森美
24+
TO-3P-3
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
 詢價
更多2SA1962RTU供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 16:36:00

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