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2SA1943-O(S1,F_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：2SA1943-O(S1,F品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=

2SA1943-O(S1,F是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3PL的2SA1943-O(S1,F晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    2sa1943-o(s1,f

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    2SA1943-O(S1,F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 800mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 1A，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（L）

  • 描述：

    PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=

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