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2SA1700-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Highbreakdownvoltage ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage ·HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Forhighvoltagedriverapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多2SA1700-251供應商 更新時間2025-4-8 16:30:00

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