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2PS06012E32G30867

INFINEON

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè)：天津市博通航睿技術(shù)有限公司

2PS06012E32G30867

INFINEON

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè)：天津市博通航睿技術(shù)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2PS06012E32G30867

  • 功能描述：

    IGBT 模塊

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
23+
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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模塊
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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更多2PS06012E32G30867供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-5 15:00:00

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