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2N6898中文資料AMERICASEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6898
廠商型號

2N6898

功能描述

P-Ch. Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor

文件大小

1.00603 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 America Semiconductor, LLC
企業(yè)簡稱

AMERICASEMI

中文名稱

America Semiconductor, LLC官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-11-18 17:45:00

2N6898規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2N6898 is a P-channel enchancement-mode silicon-gate power MOS field-effect transisotr designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high-power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate-driver power. This device can be operated directly from an integrated circuit.

Features

? -25A, -100V

? rDS(on) = 0.20Ω

? SOA is Power-Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

? Majority Carrier Device

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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