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2N6649分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6649
廠商型號(hào)

2N6649

參數(shù)屬性

2N6649 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PNP TRANSISTOR

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

文件大小

210.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-12 11:36:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6649

  • 別名:

    2N6649三極管、2N6649晶體管、2N6649晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BDV64,BDX84A,BDX86A,MJ2500,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    100

2N6649規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6649

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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