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2N6301

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N6301

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6301

Package:TO-213AA,TO-66-2;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:PNP TRANSISTOR

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6301SMD

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

SEME-LAB

Seme LAB

2N6301SMD05

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

SEME-LAB

Seme LAB

2N6301E3

Package:TO-213AA,TO-66-2;包裝:散裝 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6301P

Package:TO-213AA,TO-66-2;包裝:散裝 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N6301

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD269,BD647,BD699,BD899,BDW73B,BDX53B,FH7C,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    E-8

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    75

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6301

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 80mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 4A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    PNP TRANSISTOR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N6301供應商 更新時間2025-4-1 16:00:00