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2N6282

POWER TRANSISTORS(20A,160W)

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

2N6282

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain@IC=10Adc— hFE=2400(Typ)—2N6282,2N6283,2N6284 hFE=4000(Typ)—2N6285,2N6286,2N6287 ?Collector–EmitterSustai

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N6282

DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N6282

POWER TRANSISTORS TO-3 CASE

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N6282

Power Transistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

2N6282

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Complementtotype2N6285/6286/6287 ·HighDCcurrentgain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseingeneral-purposeamplifierandlow-frequencyswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6282

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Complementtotype2N6285/6286/6287 ·HighDCcurrentgain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseingeneral-purposeamplifierandlow-frequencyswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N6282

NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR

NPNSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTOR The2N6282,2N6283and2N6284aremountedinTO-3metalpackage. Theyaredesignedforuseingeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. ThecomplementaryPNPare2N6285,2N6286,2N6287CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

2N6282

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6282

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N6282

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6282

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

2N6282

包裝:散裝 封裝/外殼:模具 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N6282

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    20A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDX67,BDX69A,BDX69B,BDX69C,FH10C,MJ4033,MJ11012,TIP640,2SD730,2SD1460,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    20

  • wtest:

    160

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6282

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 200mA,20A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 10A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N6282供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 16:00:00