2N6052中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
2N6052 |
參數(shù)屬性 | 2N6052 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO204 |
功能描述 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
90.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-17 18:14:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N6052三極管、2N6052晶體管、2N6052晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
100V
- 最大電流允許值:
12A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
2
- 可代換的型號(hào):
BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,
- 最大耗散功率:
150W
- 放大倍數(shù):
β>750
- 圖片代號(hào):
E-44
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
12
- wtest:
150
2N6052規(guī)格書詳情
DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS
...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications
FEATURES:
* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.
* High DC Current Gain -
hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N6052
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 120mA,12A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 6A,3V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-204AA,TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-204(TO-3)
- 描述:
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1738+ |
TO-3 |
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詢價(jià) | ||
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2022 |
TO-3 |
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