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2N6052中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N6052
廠商型號(hào)

2N6052

參數(shù)屬性

2N6052 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS

文件大小

90.89 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 18:14:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6052

  • 別名:

    2N6052三極管、2N6052晶體管、2N6052晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    150

2N6052規(guī)格書詳情

DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS

...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications

FEATURES:

* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.

* High DC Current Gain -

hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6052

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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