2N6035G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
2N6035G |
| 參數屬性 | 2N6035G 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 |
| 功能描述 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 封裝外殼 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
150.3 Kbytes |
| 頁面數量 |
6 頁 |
| 生產廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-4 15:08:00 |
2N6035G規(guī)格書詳情
2N6035G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的2N6035G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。
產品屬性
更多- 產品編號：
2N6035G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
N/A |
2021+ |
SMD |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-225AA |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原裝現貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
詢價 | |||
ON |
TO-251 |
608900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現貨! |
詢價 | |||
ON |
24+ |
TO-225 |
8866 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
N/A |
5000 |
只做原裝正品現貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SMD |
2000 |
原裝現貨 |
詢價 |
