2N5610分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N5610 |
| 參數(shù)屬性 | 2N5610 封裝/外殼為TO-213AA，TO-66-2；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistors |
| 封裝外殼 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 文件大小 |
119.05 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
| 企業(yè)簡稱 |
JMNIC【錦美電子】 |
| 中文名稱 | 泉州錦美電子有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 13:02:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N5610三極管、2N5610晶體管、2N5610晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
>70MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BD243B,BD599,MJE15028,ME15030,3DK03D,
- 最大耗散功率：
25W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-8
- vtest：
100
- htest：
70000100
- atest：
5
- wtest：
25
2N5610規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? With TO-66 package
? Excellent safe operating area
? Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
? For general-purpose amplifier; and switching applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N5610
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 500μA， 2.5mA
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-213AA，TO-66-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-66（TO-213AA）
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方! |
詢價 | ||
ISC/固電 |
23+ |
TO-66 |
5000 |
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詢價 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
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NJS |
2021+ |
TO-66 |
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NJS |
23+ |
TO-66 |
50000 |
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詢價 | ||
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
RENESAS |
24+ |
TO-92L |
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23+ |
TO-3 |
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MOT |
2023+ |
TO-66 |
58000 |
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詢價 |
