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2N5551

SERIES2NTRANSISTORS

SERIES2NTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N5551

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description The2N5551isdesignedforamplifiertransistor. Features ?ComplementstoPNPType2N5401. ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.VCEO>160V(@IC=1mA)

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

2N5551

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=180V,VCEO=160V ?Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5401

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

2N5551

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

Features ?Pb?FreePackagesareAvailable* ?DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團大亞電器集團有限公司

2N5551

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES *Switchingandamplificationinhighvoltage *Lowcurrent(max.600mA) *Highvoltage(max.180v)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2N5551

mplifierTransistors(NPNSilicon)

AmplifierTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N5551

GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors

?Powerdissipation625mW ?PlasticcaseTO-92 ?Weightapprox.0.18g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedinammopack

Diotec

Diotec Semiconductor

2N5551

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Designedforgeneralpurposeamplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

2N5551

SmallSignalHighVoltageTransistor(NPN)

Features ?HighVoltageNPNTransistorforGeneralPurposeand TelephonyApplications

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

2N5551

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

FEATURES *Highcollector-emittervoltage: VCEO=160V *Highcurrentgain APPLICATIONS *Telephoneswitchingcircuit *Amplifier

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2N5551TFR_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N5551TFR_Q供應商 更新時間2025-3-1 10:32:00

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