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H2N5551

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheH2N5551isdesignedforamplifiertransistor. Features ?ComplementstoPNPTypeH2N5401 ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage(VCEO>160V(@IC=1mA))

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

ST2N5551

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistorsST2N5400andST2N5401arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

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SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

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更多2N5551N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-28 11:10:00

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